Benoit Bakeroot
- benoit.bakeroot@ugent.be
- Telefoon
-
09 264 53 69
- Categorie
-
zelfstandig academisch personeel
wetenschappelijk personeel imec
- Onderzoeksdisciplines
-
Analoge en mixed mode geïntegreerde schakelingen
Halfgeleidermaterialen
- Opleidingsonderdelen
-
Fysica van halfgeleidercomponenten
Fysica van halfgeleidercomponenten
Entiteiten
Faculteit Ingenieurswetenschappen en Architectuur
Vakgroep Elektronica en Informatiesystemen
- Functie
-
hoofddocent
IMEC postdoctoraal onderzoeker
- Adres
-
Technologiepark Zwijnaarde 126
9052 Zwijnaarde - Werkplaats
- 126 iGent, 6e verdieping lokaal 023
- Telefoon
-
09 264 53 69
- Telefoon Secretariaat
- 09 264 33 66
Bibliografie
- The effect of proton irradiation in suppressing current collapse in AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors (2019) Arno Stockman (UGent), A. Tajalli, M. Meneghini, M. J. Uren, S. Mouhoubi, S. Gerardin, M. Bagatin, A. Paccagnella, G. Meneghesso, E. Zanoni, P. Moens, Benoit Bakeroot (UGent)
- Influence of GaN- and Si3N4-passivation layers on the performance of AlGaN/GaN diodes with a gated edge termination (2019) Eliana Acurio, Felice Crupi, Nicolo Ronchi, Brice De Jaeger, Benoit Bakeroot (UGent), Stefaan Decoutere, Lionel Trojman
- The influence of carbon in the back-barrier layers on the surface electric field peaks in GaN Schottky diodes (2018) Benoit Bakeroot (UGent)
Persoonsgegevens uit dit telefoonboek mogen enkel gebruikt worden voor communicatie met individuen in het kader van de opdracht van de universiteit.