Benoit Bakeroot

E-mail: benoit.bakeroot@ugent.be
Telefoon: 09 264 53 69
Categorie: zelfstandig academisch personeel
wetenschappelijk personeel imec
Onderzoeksdisciplines: Analoge en mixed mode geïntegreerde schakelingen
Halfgeleidermaterialen
Opleidingsonderdelen: Fysica van halfgeleidercomponenten
Fysica van halfgeleidercomponenten

Entiteiten

The effect of proton irradiation in suppressing current collapse in AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors (2019) Arno Stockman (UGent), A. Tajalli, M. Meneghini, M. J. Uren, S. Mouhoubi, S. Gerardin, M. Bagatin, A. Paccagnella, G. Meneghesso, E. Zanoni, P. Moens, Benoit Bakeroot (UGent)
Influence of GaN- and Si3N4-passivation layers on the performance of AlGaN/GaN diodes with a gated edge termination (2019) Eliana Acurio, Felice Crupi, Nicolo Ronchi, Brice De Jaeger, Benoit Bakeroot (UGent), Stefaan Decoutere, Lionel Trojman
The influence of carbon in the back-barrier layers on the surface electric field peaks in GaN Schottky diodes (2018) Benoit Bakeroot (UGent)

Persoonsgegevens uit dit telefoonboek mogen enkel gebruikt worden voor communicatie met individuen in het kader van de opdracht van de universiteit.